PMZ350XN T/R
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
PMZ350XN T/R datasheet
-
МаркировкаPMZ350XN T/R
-
ПроизводительNXP Semiconductors
-
ОписаниеNXP Semiconductors PMZ350XN T/R Configuration: Single Continuous Drain Current: 1.87 A Drain-source Breakdown Voltage: 30 V Factory Pack Quantity: 10000 Fall Time: 5.5 ns Gate-source Breakdown Voltage: +/- 12 V Maximum Operating Temperature: + 150 C Minimum Operating Temperature: - 55 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: SC-101 Part # Aliases: PMZ350XN,315 Power Dissipation: 2.5 W Product Category: MOSFET Resistance Drain-source Rds (on): 0.42 Ohms Rise Time: 9.5 ns Rohs: yes Transistor Polarity: N-Channel Typical Turn-off Delay Time: 14 ns
-
Количество страниц13 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
13.06.2024
12.06.2024
Сотрудничество двух компаний Sphere Entertainment Co. и STMicroelectronics позволило создать крупнейший в мире датчик изображения для системы камер Sphere's Big Sky. Big Sky — это новейшая система камер сверхвысокого разрешения, используемая для съемки контента для Sphere, развлекательного средства нового поколения в Лас-Вегасе.
' width="293" height="218" /> Крупнейший датчик изображения для системы камер Big Sky11.06.2024